Applikationen in der Optoelektronik

Siliziumkarbid ist das Substratmaterial für Galliumnitrid (GaN)-Epitaxie zur Herstellung von Leuchtdioden im blauen und ultravioletten Spektralbereich.SiC ist das ideale Material für diesen Zweck, da es sowohl eine niedrige Gitterfehlanpassung für III-Nitrid Epitaxieschichten, als auch eine hohe elektrische Leitfähigkeit und Wärmeleitfähigkeit aufweist. Dies ist insbesondere für Laseranwendungen von Bedeutung.Blaue Leuchtdioden auf SiC-Basis sind bereits seit einigen Jahren auf dem Markt.Der nächste wichtige Schritt wird voraussichtlich die Kommerzialisierung blauer Laserdioden auf SiC-Substraten sein.
Blaues Laserlicht ermöglicht eine deutliche Steigerung der Speicherkapazität von optoelektronischen Datenträgern, beispielsweise DVDs. Der Einsatz von UV-Dioden auf SiC-Basis wird auch andere Bereiche umfassen, beispielsweise

  • Überwachung von Verbrennungsprozessen
  • jegliche Art von UV-Detektion,

wobei der UV-Detektor unempfindlich für sichtbare Strahlung ist.

Auf SiC basierende Elektronik hat deutliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Bauelementenunter ungünstigen Umgebungsbedingungen, wie beispielsweise ionisierender Strahlung, Hitze oder aggressiven Chemikalien.SiC-Elektronik wird zukünftig dazu beitragen, Gewicht und damit Kosten in der Luft- und Raumfahrt zu sparen, da sie sich im Gegensatz zu herkömmlichen Silizium-Bauelementen resistent gegen ionisierende Strahlung erwiesen hat. So kann der Aufwand zur Strahlungsabschirmung reduziert werden. Ferner wird oftmals der Einsatz teurer Kühlsysteme überflüssig.

  • SiC-Elektronik funktioniert unter extremen Umgebungsbedingungen !