Im Gegensatz zu etablierten Technologien zeichnet sich die SiC-Technolgie aus durch:
- erhöhte Leistungsdichte
- erhöhtes Temperaturlimit
- kleinere Bauteile
- erhöhte Performance
Diese Eigenschaften prädestinieren SiC-Substrate für den Einsatz in Applikationen der Hochfrequenztechnik. Die erfolgversprechendsten Anwendungen von Mikrowellenelektronik auf SiC-Basis sind drahtlose Datenübertragung und Radartechnik, da herkömmliche, auf GaAs-basierende Bauteile nicht bei den hohen Leistungsdichten und Temperaturen, wie sie bei diesen Anwendungen auftreten, funktionieren.
SiC-Hochfrequenzmodule können beispielsweise in Basisstationen für Mobiltelefone eingesetzt werden. SiC-HF-Transistoren arbeiten selbst noch bei Leistungsdichten, die über das theoretisch erreichbare Limit von GaAs-Transistoren hinausgehen.
- SiC-Elektronik hat Zukunft !